四氟化碳-安徽譜純|品種齊全-高純四氟化碳廠：

四氟化碳的用途與作用 :

 四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳在通常環境下是相對惰性的，在不通風的地方會引起窒息。在射頻等離子體環境中，氟自由基表現為典型的三氟化碳或二氟化碳的形式。高純度的四氟化碳能很好的控制加工過程，使尺寸和形狀得到更好的控制，這不同于其他的鹵烴遇到空氣或氧氣時不利于各種特殊的控制（如半導體各項異性控制）。

對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應離子刻蝕時，通過調節兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳的熱穩定性更好。化合物的熱穩定性主要與化學鍵的鍵能及鍵長有關。零下198 °C時，四氟化碳具有單斜的結構，晶格常數為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。

由碳與氟反應，或一氧4化碳與氟反應，或碳化硅與氟反應，或氟石與石油焦在電爐里反應，或二氟二氯甲4烷與氟4化氫反應，或四氯4化碳與氟化銀反應，或四氯4化碳與氟化4氫反應，都能生成四氟化碳。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應離子刻蝕時，通過調節兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。

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